型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors284820+¥0.197150+¥0.1825100+¥0.1752300+¥0.1694500+¥0.16501000+¥0.16215000+¥0.159110000+¥0.1562
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品类: TVS二极管描述: 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY RECT 80V 5A17735+¥3.599125+¥3.332550+¥3.1459100+¥3.0659500+¥3.01262500+¥2.94595000+¥2.919310000+¥2.8793
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品类: TVS二极管描述: Diode Switching 400V 3A 2Pin DO-201AD T/R164110+¥1.348750+¥1.2787100+¥1.2288300+¥1.1988500+¥1.16881000+¥1.13892500+¥1.09395000+¥1.0839
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品类: TVS二极管描述: Diode Switching 600V 3A 2Pin DO-201AD Ammo35445+¥3.105025+¥2.875050+¥2.7140100+¥2.6450500+¥2.59902500+¥2.54155000+¥2.518510000+¥2.4840
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品类: TVS二极管描述: 600 Volt 3.0A 250ns 125 Amp IFSM80695+¥1.926525+¥1.783850+¥1.6839100+¥1.6411500+¥1.61252500+¥1.57685000+¥1.562610000+¥1.5412
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage53775+¥2.663625+¥2.466350+¥2.3281100+¥2.2690500+¥2.22952500+¥2.18025000+¥2.160410000+¥2.1308
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品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor4784
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品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor3828
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品类: TVS二极管描述: 1.4A 至 20A,Vishay Semiconductor 采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor1470
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品类: TVS二极管描述: Diode Schottky 80V 3A 2Pin DO-201AD Ammo26765+¥2.794525+¥2.587550+¥2.4426100+¥2.3805500+¥2.33912500+¥2.28745000+¥2.266710000+¥2.2356
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品类: TVS二极管描述: 肖特基二极管与整流器 ESD SCHOTTKY 3A 80V12805+¥2.794525+¥2.587550+¥2.4426100+¥2.3805500+¥2.33912500+¥2.28745000+¥2.266710000+¥2.2356